Ordenamiento De Bytes 33l5i

Ordenamiento de bytes: Los bytes de una palabra pueden enumerarse de izquierda a derecha o de derecha a izquierda. Esto puede parecer irrelevante pero tiene grandes implicaciones. Es importante entender que en ambos sistemas, un numero entero de 32 bits se representa con los bits que hacen al número en si en los bits más hacia la derecha (de orden inferior) de la palabra y ceros en los restantes bits hacia la izquierda. Si las computadoras solo almacenaran enteros no habría problemas pero muchas aplicaciones necesitan de una mezcla de enteros, cadena de caracteres y otro tipo de datos. Por ejemplo, en el caso de una cadena de caracteres: Al almacenar una se agrega uno o mas bytes “0” para que la máquina “entienda” que ahí se termina la cadena. Hasta ahí todo bien, el problema ocurre cuando se quiere mandar una cadena desde una máquina Big Endian (Ordena de izquierda a derecha) a una Little Endian (Inverso), donde la máquina receptora en lugar de recibir los bytes 0 al final de la cadena, los recibe al comienzo. Códigos correctores de errores: La memoria de una computadora puede cometer errores debido a distintas causas. Para que esto no suceda, se utilizan códigos de detección y corrección de errores. Para usar estos códigos se agregan bits extras a cada palabra de memoria en una forma especial. Cuando se lee una palabra de memoria se verifican los bits adicionales para ver si ha ocurrido un error. Supongamos una palabra de memoria de “m” bits de datos a los que se le agregan “r” bits de control, siendo “n” la longitud total (n = r + m). Para referirse a la palabra de longitud total se usa el término “palabra código”. Dadas dos palabras códigos cualquiera, es posible determinar en cuantos bits difieren. El número de bits en el que difieren dos palabras códigos se llama “distancia de Hamming”. Esto significa que si dos palabras están separadas entre sí por una distancia de hamming de “d” bits, se necesitarán “d” bits de control para convertir un código en otro. Capacidad: Es la cantidad de información que se puede almacenar.

Formas de acceder a las posiciones de memoria: Introducir o leer información en una posición de memoria se denomina . No es necesario leer y escribir simultáneamente todas las posiciones de una memoria, por esto existen distintas formas de a una posición de memoria. * Aleatorio (RAM), permanencia de la información: Escritura/lectura Pasiva, operación de escritura: Pasivas, ROM Pasivas programables, PROM Pasivas reprogramables, EPROM *Memorias de en serie: LIFO FIFO *Asociativas Memorias de aleatorio (RAM = Random Access Memory) Aleatoriamente se puede seleccionar cualquier posición de la memoria para escribir o leer, por lo que el tiempo de es el mismo a cualquier posición de la memoria sin depender de su ubicación o situación. La memoria se organiza en n bits, y la selección de la posición donde se encuentra la información a la que se desea acceder se realiza mediante b bits en paralelo denominados bits de dirección. El número total de posiciones que se podría seleccionar entonces es m=2 a la b. Los bits almacenado se presentan en los terminales de entrada I subcero hasta I sub n-1. Para escribir una palabra en el registro, este debe direccionarse, la palabra debe presentarse en entrada y se deben activar los terminales WE y CS. En el proceso de lectura, la memoria lleva a los terminales de salida O subcero hasta O sub n-1, la palabra almacenada en el registro direccionado. Es decir, se presenta la dirección, habilitamos el CS y ponemos la entrada de WE en 1. Entonces WE=1 lee y WE=0 escribe.

Estructura de una RAM semiconductora: La estructura usa el conmutador controlado por lógica, cuando el nivel lógico de la línea de control es “1”, el conmutador se cierra y se establece la conexión, cuando el nivel lógico de la línea es “0”, el conmutador se abre. Los bits se almacenan en flip-flops elementales, es decir formados por dos inversores acoplados. Los bits de dirección “A1” y “A0” se aplican al decodificador. Cuando tenemos A1=1 y A0=0 la salida de la puerta 2 está en 1 lógico, mientras que todas las otras compuertas lógicas AND están en 0, es decir solo se habilita la lectura o escritura de la palabra 2. O sea, la entrada de dirección “A1 A0 = 10” direcciona a la palabra 2 y sólo la palabra 2. Memorias en paralelo: Puede pasar que el número de palabras de una pastilla o el número de bits por palabra no es el adecuado. Este problema se soluciona colocando las pastillas en paralelo. Para incrementar el número de bits por palabra, pero no el número de palabras, se conectan los bits de dirección de una pastilla con los de la otra pastilla, lo mismo con los terminales CS y WE. También se puede incrementar el número de palabras. Igual que antes, se conectan los bits de direcciones, el WE y el CS, solo que esta vez, se conectarían también todos los bits de Entrada y salida, y el CS estaría negado entre las 2 pastillas, actuando así como si fuera otro bit de dirección mas. Memorias Pasivas: Son aquellas en las que existe una gran diferencia entre el tiempo de lectura y escritura. Se clasifican en: Memorias totalmente pasivas, ROM: Son aquellas que nunca pueden ser escritas por quién las utiliza, solo las graba el fabricante. Memorias Pasivas Programables, PROM: Similares a las anteriores con la excepción de que el puede escribirlas una vez. Memorias Pasivas Reprogramables, EPROM: El puede mediante un procedimiento especial modificar su contenido.

Memorias de en serie: En estas memorias el tiempo para leer o escribir depende de la situación física del interior de la memoria. Se clasifican en: Registros de desplazamiento: En este tipo, la orden externa de desplazamiento está constituida por los impulsos de un generador. Registros de desplazamiento estáticos: Los impulsos pueden anularse por tiempo indefinido, la información queda almacenada en las diferentes posiciones de memoria a las que fue llevada por el último impulso aplicado. Memorias FIFO Memorias LIFO Memorias asociativas: Están caracterizadas porque se les suministra información para observar si la contiene en alguna de sus posiciones. Su almacenamiento puede estar organizado de dos formas fundamentales: Dividido en dos partes: Parte de la información que se compara con la que se ingresa, y la parte que da la respuesta cuando existe una coincidencia entre el primer campo y la info de entrada. Toda la información contenida en cada posición de la memoria se compara con la información de entrada: La memoria da solamente como respuesta un bit cuyo estado indica si existe alguna info en el interior de la memoria que es idéntica a la ingresada. Modos de direccionamiento: Son la forma en la que se indica como se debe tratar la dirección de un operando. Se transfiere la dirección procesada de la instrucción al registro de selección de la memoria para obtener la información deseada. El proceso que debe sufrir está especificado por el código de operación o por la configuración binaria de una parte de la instrucción.